电子公告服务专项备案

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在250-330℃之间，服务Al侵入Ge纳米线的反应界面反应速率受扩散过程的限制。在硅化物相或锗化物相和半导体纳米线间实现电接触，专项降低源极/漏极和沟道之间的电接触电阻。

通过两种热退火技术，备案EDX证实了单晶Al-纳米线的形成，备案揭示了一种双核壳结构，铝核被一层薄的Ge覆盖，同时，铝核也被另一个低Ge浓度区域的Al2O3壳覆盖。【成果简介】近期，公告法国格勒诺布尔大学MartienDenHertog教授提供了一种非常有应用前景的纳米线的原位TEM研究，公告其中铝金属进入锗半导体纳米线以形成极其突然和洁净的轴向金属-半导体界面。图四：服务EDX分析铝层结构(a)在380℃下，服务Hb加热进行相位传播后，STEM图像(b)EDX超图图五：HAADFSTEM图像及其建议机理    锗原子可以通过表面通道扩散到铝储层，铝原子通过体积扩散提供给反应界面。

然而，专项金属和半导体纳米线之间的接触质量大大限制了这些器件的效率以及在新型纳米电子器件中的应用。Al核周围存在含Ge的壳，备案表明Ge通过表面扩散扩散回金属储层，通过EDX检测可以得到证实。

为了将这些半导体纳米线结合到纳米电子应用中，公告需要实现低欧姆电阻接触，公告使用Si中的硅化工艺或Ge中的锗化工艺，以有效地从器件注入电流和提取电流。

服务该成果近日以题为InSituTransmissionElectronMicroscopyAnalysisofAluminum−GermaniumNanowireSolid-StateReaction发表在知名期刊NanoLett.上。专项（b）紫外光电子能谱（UPS）数据的(BA)2PbI4/(BA)2(MA)Pb2I7异质结构的能带图。

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